09:45 〜 10:00 [22a-A102-4] 共ドープSiナノトランジスタの単一電子トンネリングに対するバックゲート電圧の効果の研究 〇金子 義1、ジュパリ タルナ テジャ1、モラル ダニエル1 (1.静大電研)