16:00 〜 18:00 [20p-P04-2] 4H-SiC 半絶縁基板を用いた Well-less MOSFET の p/n channel 動作 〇甲斐 陶弥1、児島 一聡2、大島 武3、田中 保宣2、黒木 伸一郎1 (1.広島大ナノデバイス、2.産総研、3.量研機構)