16:00 〜 18:00 [20p-P04-9] Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のC-V特性に対する光電気化学エッチングの効果 〇(M1)忽滑谷 崇秀1、玉村 祐也1、久保 広大1、佐藤 威友1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)