10:30 〜 10:45 [20a-C200-6] ScAlMgO4基板上へのGaNのRF-MBE成長における基板表面窒化の効果 〇黒田 悠弥1、和田 邑一1、後藤 直樹1、藤井 高志1、毛利 真一郎1、出浦 桃子2、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.R-GIRO)