18:00 〜 18:15 △ [22p-A202-19] 高濃度ホウ素ドープラテラル成長技術を用いた原子的に平坦な窒素ドープダイヤモンド(111)へのp+膜埋込成長 〇(D)小林 和樹1、張 旭芳1、牧野 俊晴2、松本 翼1、猪熊 孝夫1、山崎 聡1、C.E. Nebel1,3、徳田 規夫1 (1.金沢大、2.産総研、3.Diacara)