14:30 〜 14:45 [22p-B204-5] Mgチャネリング注入によるGaN縦型パワーデバイス JTE構造の最適ドーズ幅拡大効果 〇北川 和輝1、Maciej Matys2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)