09:30 〜 09:45 △ [20a-B204-3] ヒドリドイオンの電気的脱挿入を用いた酸水素化物の抵抗変化と抵抗変化メモリへの応用 〇山崎 智之1、高岡 遼生2、飯村 壮史1,3、金 正煥1、平松 秀典2、細野 秀雄1,3 (1.東工大元素、2.東工大フロンティア、3.NIMS)