10:30 〜 10:45 [22a-C201-6] THz波デバイス用高アスペクト比構造への超臨界流体薄膜堆積法によるCu被覆の検討 黄 昱源1、小西 邦昭2、出浦 桃子1、下山 裕介1、湯本 潤司2、五神 真2、霜垣 幸浩1、〇百瀬 健1 (1.東大院工、2.東大院理)