一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）
13:30 〜 13:45
〇木村 友哉1、長川 健太2、押山 淳2、白石 賢二2,1 (1.名大院工、2.名大未来研)
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13:45 〜 14:00
〇望月 和浩1、三島 友義1 (1.法政大)
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14:00 〜 14:15
〇西尾 譲司1、太田 千春1、飯島 良介1 (1.東芝研開センター)
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14:15 〜 14:30
〇原田 俊太1、坂根 仁2、三井 俊樹3、加藤 正史3 (1.名古屋大、2.住重アテックス、3.名工大)
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14:30 〜 14:45
〇(M1)渡邉 王雅1、三井 俊樹1、原田 俊太2、坂根 仁3、加藤 正史1 (1.名工大、2.名大、3.住重アテックス)
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14:45 〜 15:00
〇(M2)小川 斐士1、韓 磊1、加藤 智久2、加藤 正史1 (1.名工大、2.産総研)
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15:00 〜 15:15
〇松岡 大雅1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
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15:15 〜 15:30
〇吉田 恭平1、古賀 正樹2、清水 隆邦2、高藤 誠3、永岡 昭二1,4 (1.熊本産技セ、2.濱田重工（株）、3.熊大院先科研、4.熊大創生)
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15:30 〜 15:45
滝澤 唯夏1、〇羽深 等1、石黒 暁夫2、石井 成明2、渡部 亨2、森山 義和2、醍醐 佳明2、水島 一郎2、高橋 至直3 (1.横国大院理工、2.ニューフレアテクノロジー、3.関東電化工業)
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