一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:00 〜 09:15
〇(M2)小泉 遼太1、服部 梓1、李 好博1、田中 秀和1 (1.阪大産研)
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09:15 〜 09:30
〇伊勢 柾希1、甲斐 洋行1、木下 健太郎1 (1.東理大理)
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09:30 〜 09:45
〇谷口 勇貴1、李 好博1、服部 梓1、田中 秀和1 (1.阪大産研)
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09:45 〜 10:00
〇SatyaPrakash Pati1、Satoshi Hamasuna1、Takeaki Yajima1 (1.Kyushu Univ.)
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10:00 〜 10:15
〇鈴木 拓1、坂口 勲1 (1.物材機構)
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10:30 〜 10:45
〇(M2)谷口 充樹1、高田 文朝1、冨吉 希彩良1、谷古宇 海斗1、前川 愛里1、志賀 大亮2、組頭 広志2、樋口 透1 (1.東理大理、2.東北大)
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10:45 〜 11:00
〇冨吉 希彩良1、谷口 充樹1、高田 文朝1、谷古宇 海斗1、樋口 透1、志賀 大亮2、組頭 広志2 (1.東理大理、2.東北大)
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11:00 〜 11:15
〇木村 洸希1、清水 智弘1、伊藤 健1、新宮原 正三1 (1.関西大理工)
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11:15 〜 11:30
〇黄 川洋1、田中 正和1、岡安 眞治1、清水 智弘1、伊藤 健1、新宮原 正三1 (1.関西大シス理工)
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11:30 〜 11:45
〇志村 政英1、安部 功二1 (1.名古屋工業大学)
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