一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
10:00 〜 10:15
〇小松 遊矢1、清水 亮太1、ビルデ マーカス2、西尾 和記1、福谷 克之2,3、一杉 太郎1,4 (1.東京工業大学、2.東大生産研、3.原子力機構、4.東大院理)
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10:15 〜 10:30
〇今村 遼亮1、永井 正也1、竹原 輝1、芦田 昌明1、奥山 勇治2、可児 幸宗3 (1.大阪大基礎工、2.宮崎大工、3.パナソニック)
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10:30 〜 10:45
〇松田 菜月1、辻 健太1、神野 伊策1 (1.神戸大工)
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10:45 〜 11:00
〇川山 巌1、石田 祐樹1、小出 健太郎1、嶋 瑞生1、片岡 理樹2、橘田 晃宜2、前田 泰2、土井 俊哉1 (1.京大院エネ科、2.産総研電池技術)
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11:00 〜 11:15
〇伊藤 孝寛1,2、山本 凌2、小山 正太郎2、仲武 昌史3、高倉 将一3、出田 真一郎4、田中 清尚4、藤原 靖幸5、森分 博紀6、入山 恭寿2 (1.名大SRセ、2.名大院工、3.あいちSR、4.分子研UVSOR、5.信州大、6.ファインセラミックスセンター)
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11:15 〜 11:30
〇(DC)岩泉 滉樹1、柴田 恭幸2、守友 浩1,3,4 (1.筑波大数理、2.海洋大海洋工、3.筑波大数物系、4.筑波大TREMS)
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