一般セッション(口頭講演)

[21a-A106-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2022年9月21日(水) 09:00 〜 11:15 A106 (A106)

黒澤昌志(名大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[21a-A106-1] 第一原理計算と遺伝的アルゴリズムによるGe−Sn合金の安定構造探索

〇野田祐輔¹、末岡浩治¹ (1.岡山県立大情報工)

09:15 〜 09:30

[21a-A106-2] 多結晶 Ge 薄膜の三元混晶化による熱電性能向上

〇前田真太郎¹、石山隆光¹、末益崇¹、都甲薫¹ (1.筑波大院)

09:30 〜 09:45

[21a-A106-3] 界面変調型固相成長とポストアニールの重畳によるSn添加多結晶Ge極薄膜の高キャリア移動度化

〇古賀泰志郎¹、永野貴弥¹、茂藤健太^2,3、山本圭介²、佐道泰造¹ (1.九大シス情、2.九大総理工、3.学振特別研究員)

09:45 〜 10:00

[21a-A106-4] 多結晶 SiGeSn の固相結晶化に向けた二元混晶ナノドットの検討

〇白井勇聖¹、立岡浩一¹、志村洋介^1,2 (1.静岡大学、2.静岡電工)

10:00 〜 10:15

[21a-A106-5] Siナノワイヤを核としたⅣ族三元混晶の固相成長

〇元藤士宗¹、立岡浩一¹、志村洋介^1,2 (1.静岡院工、2.静岡電工)

10:15 〜 10:30

▼ [21a-A106-6] Effect of CW Laser Annealing on the Optical Properties of Polycrystalline n-type Ge

〇Rahmat Hadi Saputro^1,2、 Ryo Matsumura¹、 Tatsuro Maeda³、 Naoki Fukata^1,2 (1.NIMS、2.Univ. of Tsukuba、3.AIST)

10:30 〜 10:45

△ [21a-A106-7] 固相成長による多結晶Yb₃Ge₅の薄膜合成と熱電応用

〇石山隆光¹、小澤知輝¹、末益崇¹、都甲薫¹ (1.筑波大院)

10:45 〜 11:00

[21a-A106-8] スパッタ成膜法によるGe(100)基板上のGeSnエピタキシャル成長

〇國吉望月^1,2、安部和弥²、田中信敬²、星原雅生²、小林拓真²、志村考功²、渡部平司² (1.アルバック協働研、2.阪大院工)

11:00 〜 11:15

△ [21a-A106-9] Ge(100)基板上にスパッタ成膜したエピタキシャルGeSn層の評価

〇田中信敬¹、安部和弥¹、星原雅生¹、國吉望月²、小林拓真¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工、2.アルバック協働研)

一般セッション(口頭講演)

[21p-A106-1~18] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2022年9月21日(水) 13:00 〜 17:45 A106 (A106)

都甲薫(筑波大)、松村亮(物材機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:00 〜 13:15

[21p-A106-1] InP基板上の超高Sn組成Ge_1-xSn_xヘテロエピタキシャル層の結晶性改善

〇高木孝明¹、柴山茂久¹、黒沢昌志¹、坂下満男¹、中塚理^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

13:15 〜 13:30

[21p-A106-2] Si(111)上における直接遷移Ge_1-xSn_xヘテロエピタキシャル層の形成

〇森俊輔¹、柴山茂久¹、坂下満男¹、黒澤昌志¹、中塚理^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

13:30 〜 13:45

△ [21p-A106-3] 単結晶歪Si_1-xSn_xのバンド構造評価

〇佐原敬太¹、横川凌^1,2、柴山裕貴¹、日比野祐介^2,3、黒澤昌志⁴、小椋厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.佐世保高専、4.名大院工)

13:45 〜 14:00

[21p-A106-4] 歪み SiGe/Ge(111)に発生したクラックの TEM 観察

〇田島滉太¹、山中淳二¹、有元圭介¹、原康祐¹、我妻勇哉²、澤野憲太郎² (1.山梨大学、2.東京都市大学)

14:00 〜 14:15

[21p-A106-5] 歪みSiGe/Ge(111)におけるクラック伝搬に与えるメサ・エッチング深さの影響

〇我妻勇哉¹、金澤伶奈¹、 Md. Mahfuz Alam^1,2、岡田和也¹、井上貴裕¹、山田道洋³、浜屋宏平^3,4、澤野憲太郎¹ (1.東京都市大学、2.Univ. of Barishal、3.阪大基礎工 CSRN、4.阪大OTRI)

14:15 〜 14:30

[21p-A106-6] Ge-on-Si(111)上に成長した歪みSiGe層の電気伝導特性に与えるクラック発生の影響

〇市川大悟¹、我妻勇哉¹、山田道洋²、浜屋宏平^2,3、澤野憲太郎¹ (1.東京都市大学、2.阪大基礎工CSNR、3.阪大OTRI)

14:30 〜 14:45

△ [21p-A106-7] 組成傾斜SiGeバッファ層を有する歪緩和SiGe膜の光学特性分布評価

〇柴山裕貴¹、横川凌^1,2、小椋厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL)

14:45 〜 15:00

[21p-A106-8] Ge-on-Si (110)を用いた枝型マイクロブリッジ作製による共振発光の観測

〇井上貴裕¹、我妻勇哉¹、池ヶ谷玲雄¹、小田島綾華¹、長尾優希¹、澤野憲太郎¹ (1.東京都市大学)

15:00 〜 15:15

[21p-A106-9] 二軸歪みGeマイクロブリッジの発光特性におけるスリット導入の効果

〇駒澤卓哉¹、池ヶ谷玲雄¹、井上貴裕¹、我妻勇哉¹、澤野憲太郎¹ (1.東京都市大学)

15:30 〜 15:45

[21p-A106-10] 歪みSiGe/Ge-on-Si(111)LEDからの強い室温EL発光の観測

〇菊岡柊也¹、我妻勇哉¹、杉浦由和¹、金澤伶奈¹、山田道洋²、浜屋宏平^2,3、澤野憲太郎¹ (1.東京都市大学、2.阪大基礎工 CSRN、3.阪大 OTRI)

15:45 〜 16:00

[21p-A106-11] Ge-on-Si(100)上のSiGe/Ge多重量子井戸の作製とその光学特性

〇金澤伶奈¹、我妻勇哉¹、菊岡柊也¹、杉浦由和¹、澤野憲太郎¹ (1.東京都市大学)

16:00 〜 16:15

[21p-A106-12] 熱安定性の高いGe_1–xSn_x量子ドットの自己形成

〇橋本薫¹、柴山茂久¹、安坂幸師¹、黒澤昌志¹、坂下満男¹、中塚理^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

16:15 〜 16:30

△ [21p-A106-13] X線逆格子空間マッピングを用いたカーボンドープシリコンナノワイヤにおける3軸歪評価(III)

〇吉岡和俊^1,2、張桐永¹、伊藤佑太¹、寿川尚¹、廣沢一郎^2,3、渡辺剛⁴、横川凌^1,2、小椋厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.九州シンクロトロン光研究センター、4.高輝度光科学研究センター)

16:30 〜 16:45

△ [21p-A106-14] Al/Ge(111)構造上に偏析した極薄Ge結晶層の転写

〇松下圭吾¹、大田晃生¹、柴山茂久¹、田岡紀之¹、牧原克典¹、宮﨑誠一¹ (1.名大院工)

16:45 〜 17:00

[21p-A106-15] ニッケルシリサイド超薄膜形成におけるSiキャップ層の効果

〇木村圭佑¹、田岡紀之¹、西村駿介¹、大田晃生¹、牧原克典¹、宮﨑誠一¹ (1.名大院工)

17:00 〜 17:15

[21p-A106-16] 単一結晶相を有する Ni-Germanide 極薄膜の電気特性および電子状態

〇西村駿介¹、田岡紀之¹、大田晃生¹、牧原克典¹、宮﨑誠一¹ (1.名大院工)

17:15 〜 17:30

[21p-A106-17] 高抵抗Si(111)基板上における多層シリカンナノシートの形成

伊藤善常¹、柴山茂久¹、坂下満男¹、中塚理^1,2、〇黒澤昌志¹ (1.名大院工、2.名大未来研)

17:30 〜 17:45

△ [21p-A106-18] 偏析法により合成したGeナノシートにおける光電変換の偏光依存性

〇西嶋泰樹¹、松下圭吾²、重松英¹、大島諒¹、大田晃生²、安藤裕一郎¹、白石誠司¹ (1.京大院工、2.名大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[22p-P11-1~3] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2022年9月22日(木) 13:30 〜 15:30 P11 (体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

[22p-P11-1] 階層的ナノ多孔層ガラス基板を用いたPドープGeナノ結晶の形成と発光特性

〇長尾優希¹、井上貴裕¹、小田島綾華¹、我妻勇哉¹、藤間卓也¹、澤野憲太郎¹ (1.東京都市大学)

13:30 〜 15:30

[22p-P11-2] メッシュ型パッドを有する歪みGeマイクロブリッジの発光特性にホールサイズが与える影響

〇池ヶ谷玲雄¹、井上貴裕¹、駒澤卓哉¹、我妻勇哉¹、澤野憲太郎¹ (1.都市大)

13:30 〜 15:30

[22p-P11-3] Ge-on-Si(111) LEDからの室温EL発光ピークに注入電流が与える影響

〇杉浦由和¹、菊岡柊也¹、我妻勇哉¹、金澤玲奈¹、星裕介¹、山田道洋²、浜屋宏平^2,3、澤野憲太郎¹ (1.東京都市大学総合研究所、2.阪大基礎工 CSRN、3.阪大OTRI)

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[21a-A106-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[21a-A106-1] 第一原理計算と遺伝的アルゴリズムによるGe−Sn合金の安定構造探索

[21a-A106-2] 多結晶 Ge 薄膜の三元混晶化による熱電性能向上

[21a-A106-3] 界面変調型固相成長とポストアニールの重畳によるSn添加多結晶Ge極薄膜の高キャリア移動度化

[21a-A106-4] 多結晶 SiGeSn の固相結晶化に向けた二元混晶ナノドットの検討

[21a-A106-5] Siナノワイヤを核としたⅣ族三元混晶の固相成長

▼ [21a-A106-6] Effect of CW Laser Annealing on the Optical Properties of Polycrystalline n-type Ge

△ [21a-A106-7] 固相成長による多結晶Yb₃Ge₅の薄膜合成と熱電応用

[21a-A106-8] スパッタ成膜法によるGe(100)基板上のGeSnエピタキシャル成長

△ [21a-A106-9] Ge(100)基板上にスパッタ成膜したエピタキシャルGeSn層の評価

[21p-A106-1~18] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[21p-A106-1] InP基板上の超高Sn組成Ge_1-xSn_xヘテロエピタキシャル層の結晶性改善

[21p-A106-2] Si(111)上における直接遷移Ge_1-xSn_xヘテロエピタキシャル層の形成

△ [21p-A106-3] 単結晶歪Si_1-xSn_xのバンド構造評価

[21p-A106-4] 歪み SiGe/Ge(111)に発生したクラックの TEM 観察

[21p-A106-5] 歪みSiGe/Ge(111)におけるクラック伝搬に与えるメサ・エッチング深さの影響

[21p-A106-6] Ge-on-Si(111)上に成長した歪みSiGe層の電気伝導特性に与えるクラック発生の影響

△ [21p-A106-7] 組成傾斜SiGeバッファ層を有する歪緩和SiGe膜の光学特性分布評価

[21p-A106-8] Ge-on-Si (110)を用いた枝型マイクロブリッジ作製による共振発光の観測

[21p-A106-9] 二軸歪みGeマイクロブリッジの発光特性におけるスリット導入の効果

[21p-A106-10] 歪みSiGe/Ge-on-Si(111)LEDからの強い室温EL発光の観測

[21p-A106-11] Ge-on-Si(100)上のSiGe/Ge多重量子井戸の作製とその光学特性

[21p-A106-12] 熱安定性の高いGe_1–xSn_x量子ドットの自己形成

△ [21p-A106-13] X線逆格子空間マッピングを用いたカーボンドープシリコンナノワイヤにおける3軸歪評価(III)

△ [21p-A106-14] Al/Ge(111)構造上に偏析した極薄Ge結晶層の転写

[21p-A106-15] ニッケルシリサイド超薄膜形成におけるSiキャップ層の効果

[21p-A106-16] 単一結晶相を有する Ni-Germanide 極薄膜の電気特性および電子状態

[21p-A106-17] 高抵抗Si(111)基板上における多層シリカンナノシートの形成

△ [21p-A106-18] 偏析法により合成したGeナノシートにおける光電変換の偏光依存性

[22p-P11-1~3] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[22p-P11-1] 階層的ナノ多孔層ガラス基板を用いたPドープGeナノ結晶の形成と発光特性

[22p-P11-2] メッシュ型パッドを有する歪みGeマイクロブリッジの発光特性にホールサイズが与える影響

[22p-P11-3] Ge-on-Si(111) LEDからの室温EL発光ピークに注入電流が与える影響

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[21a-A106-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

▼ [21a-A106-6] Effect of CW Laser Annealing on the Optical Properties of Polycrystalline n-type Ge

△ [21a-A106-7] 固相成長による多結晶Yb3Ge5の薄膜合成と熱電応用

△ [21a-A106-9] Ge(100)基板上にスパッタ成膜したエピタキシャルGeSn層の評価

[21p-A106-1~18] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [21p-A106-3] 単結晶歪Si1-xSnxのバンド構造評価

△ [21p-A106-7] 組成傾斜SiGeバッファ層を有する歪緩和SiGe膜の光学特性分布評価

△ [21p-A106-13] X線逆格子空間マッピングを用いたカーボンドープシリコンナノワイヤにおける3軸歪評価(III)

△ [21p-A106-14] Al/Ge(111)構造上に偏析した極薄Ge結晶層の転写

△ [21p-A106-18] 偏析法により合成したGeナノシートにおける光電変換の偏光依存性

[22p-P11-1~3] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

認証

△ [21a-A106-7] 固相成長による多結晶Yb₃Ge₅の薄膜合成と熱電応用

△ [21p-A106-3] 単結晶歪Si_1-xSn_xのバンド構造評価