[20a-A406-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[20a-A406-1] Feシリサイドドットの室温PL特性―ドットサイズ依存性

〇斎藤 陽斗¹、牧原 克典¹、田岡 紀之¹、大田 晃生¹、宮﨑 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：シリサイド、ナノドット、発光

これまでに、極薄Fe膜/SiO2へのリモートH2プラズマ(H2-RP)処理により形成したFeナノドットに基板温度400˚CでSiH4照射することで、b-FeSi2ナノドットが高密度(~10¹¹cm^-2)・一括形成でき、このナノドットからのPLは、0.6~0.8eVのブロードなスペクトルが支配的であることを明らかにした。本研究では、Fe膜厚の制御によりサイズの異なるFeナノドットを形成した後、SiH4照射することでFeシリサイドナノドットを形成し、ドットサイズが発光特性に及ぼす影響を評価した。