[20a-A406-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[20a-A406-4] パラジウムによる非晶質シリコンの金属誘起結晶化メカニズム

〇早川 紘生¹、星野 健¹、森 勇介¹、越智 孝光¹、永井 圭希¹、藤原 実¹ (1.キオクシア)

キーワード：金属誘起結晶化、パラジウム、電子後方散乱回折法

金属誘起結晶化（MIC/MILC）はアニールによって形成する多結晶Siに比べ、大粒径なSi結晶の形成、結晶化温度の低減が可能である。他金属触媒に比べメタル残渣低減の可能性あるPdによるMIC/MILCについて検討した。局所成膜部から横方向に延びる単結晶の発現、結晶化条件による結晶方位の配向性の違いについて紹介する。