[20a-A406-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[20a-A406-7] ガラス基板上の多結晶シリコンゲルマニウム薄膜トランジスタの特性

〇佐川 達哉¹、楠 浩太朗¹、原 明人¹ (1.東北学院大工)

キーワード：半導体、シリコンゲルマニウム、薄膜トランジスタ