[20a-A406-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[20a-A406-9] リセスチャネル化によるメタルS/D型Ge n-MOSFETの電流駆動力向上(II)

〇(M2)那須 新悟¹、王 冬¹、山本 圭介¹ (1.九大院　総理工)

キーワード：ゲルマニウム、MOSFET