[20a-B203-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-B203-10] 感光性high-k BTO/PSX ゲート絶縁膜を用いた酸化物半導体の性能評価

〇安藤 大晟¹、ベルムンド フアンパオロソリア¹、山本 敦子²、田中 浩之¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.メルクエレクトロニクス)

キーワード：半導体

ディスプレイの1つ1つを駆動する薄膜トランジスタ（TFT）の半導体材料には、これまでアモルファスのIGZOが利用されてきた。IGZOはs軌道がキャリアの伝導経路となり、空間的に大きく広がる球対称をとる。これにより10~40 cm2/Vsといった高移動度の実現を可能とすることができる。一方で、IGZOTFT製作時にはドライエッチングの際にデバイスの損傷が見受けられる。そこで、感光性材料が組み込まれた高誘電率なゲート絶縁膜であるBTO/PSXを利用することが挙げられる。この材料は高誘電でありゲート絶縁膜の膜厚課題を解消できる・液体プロセスでエッチング工程不要で作製可能であるという利点を生かした材料である。この高誘電率で感光性能も兼ね備えたBTO/PSX絶縁膜を用いてIGZOTFTを作製し、特性を評価することで従来のIGZOTFTの性能を上回ることが本研究の目的である。