2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-B204-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2022年9月20日(火) 09:00 〜 12:00 B204 (B204)

鈴木 拓(物材機構)

11:15 〜 11:30

[20a-B204-9] 酸化鉄光電極のミストCVD成長とその評価

〇(DC)島添 和樹1、西中 浩之1、谷口 陽子1、鐘ケ江 一考1、吉本 昌広1 (1.京都工繊大電子)

キーワード:酸化鉄、ITO、ミストCVD

人工光合成向け光電極材料として広く研究されている酸化鉄(α-Fe2O3)は面方位によってその特性に異方性があることが報告されている。異方性の評価方法の1つとしてエピタキシャル薄膜を用いた方法があり、本研究では新たな下地電極としてα-Fe2O3と同じ構造の酸化インジウム錫(rh-ITO)を提案する。c、a、m、r面配向したrh-ITO及びα-Fe2O3をエピタキシャル成長させその評価を行った。