[20a-C306-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-C306-1] ドーピング濃度の異なる4H-SiCの電圧制御陽極酸化法によるポーラス結晶化特性

〇(M2)小寺 慶太¹、水野 大誠¹、秋吉 翔太¹、Lu Weifang²、Ou Yiyu³、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹ (1.名城大理工、2.Xianmen Univ、3.Technical University Denmark)

キーワード：SiC、ポーラス