[20a-C306-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-C306-10] SiC溶液成長法における中間メルトバックによる表面平坦性の改善

〇(M2)馬 叔陽¹、朱 燦²、党 一帆¹、劉 欣博²、原田 俊太^1,2、田川 美穂^1,2、宇治原 徹^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：炭化ケイ素、結晶成長、メルトバック

SiC 溶液成長においては、結晶品質の向上のため、マクロ ステップを適切な高さに維持することが重要である。マクロステップの過度な発展を抑制する方 法として、ステップフロー方向とそれに対する溶媒の流れの方向を制御することが有効であると 報告されている。しかし、流れの制御を行っても，マクロステップは成長時間に応じて発展していく。我々はこの過度な発展を抑制する方法としてメルトバックプロセスに注目した。通常、 メルトバックは結晶成長前に種結晶表面を溶解させるために行われるプロセスであるが、本研究では、成長中および成長後にメルトバックを行い、表面平坦度の改善について実験的に検討した。