[20a-C306-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-C306-3] 基底・励起準位同時共鳴を用いたシリコン空孔量子センサの磁場・温度同時測定の最適化

〇田中 友晃¹、山崎 雄一¹、児島 一聡²、大島 武¹ (1.量研、2.産総研)

キーワード：炭化ケイ素、シリコン欠陥、同時共鳴

従来の基底・励起準位ODMR同時測定では励起準位の測定が律速である点が問題だった。基底・励起準位同時共鳴を用いることで励起準位のODMRコントラストが増大するため測定の高速化が期待される。しかし、この手法では基底準位のODMRコントラストが減少するため基底準位・同時共鳴用RFの出力比の最適化が必要である。そこで本研究では同時共鳴を用いた基底・励起準位ODMR同時測定のRF出力比の最適化を行った。