[20a-C306-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20a-C306-4] 4H-SiC中シリコン空孔を用いた室温下での電気的核スピン検出

〇(D)西川 哲理¹、森岡 直也^1,2、阿部 浩之³、森下 弘樹^1,2、大島 武³、水落 憲和^1,2 (1.京大化研、2.CSRN、3.量研)

キーワード：シリコン空孔、光電流検出磁気共鳴、電子核二重共鳴

本研究では、ワイドバンドギャップ半導体中の色中心を用いた電気駆動する量子センサおよび量子情報素子の開発に向け、4H-SiC中のシリコン空孔と近傍核スピンとの相互作用を周波数掃引型光電流検出磁気共鳴法を用いて電気的に検出することに成功した。また、電子核二重共鳴法と組み合わせることで、核スピンの電気的な観測を室温下において達成した。本発表では、その詳細について報告する。