[20a-C306-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-C306-7] 大口径SiC溶液成長の現状と課題

〇宇治原 徹^1,2,3,4、鈴木 皓己^1,4、古庄 智明^1,4、沓掛 健太朗^1,3、黨 一帆²、劉 欣博¹、朱 燦¹、周 惠琴²、深見 勇馬²、太田 壮音²、関 翔太²、霜田 大貴²、中西 祐貴²、島 颯一¹、布野 日奈子^1,4、上松 浩⁴、原田 俊太^1,2、田川 美穂^1,2 (1.名大未来研、2.名大院工、3.理研AIP、4.UJ-Crystal)

キーワード：SiC、バルク成長

我々のグループでは、長年SiC溶液成長の技術開発を行ってきた。開発においては、大きく３つの技術革新があった。第一にマクロステップを活用した転位密度低減化技術、第二に結晶表面近傍の溶媒の流れ方向の制御によるマクロステップの構造制御技術、そして第三が機械学習による結晶成長パラメータの最適化手法の開発である。現在では、これらの技術を活用した高品質SiC結晶の商用化のための大学発ベンチャーを創業し、さらには複数企業、複数機関とコンソーシアムを組み、8インチ化の開発、さらには実用化技術の開発を進めている。