[20a-P07-1~3] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[20a-P07-2] 二次元半導体を用いたトンネル電界効果トランジスタのための低計算負荷シミュレーションモデルの開発及び回路シミュレーションとの連携

〇山口 航輔¹、相馬 聡文¹ (1.神戸大院工)

キーワード：フォスフォレン、TFET、回路

フォスフォレンをチャネル材料として採用したトンネル電界効果トランジスタ(TFET)の電気伝導シミュレーションを、その精度を保ちつつ計算負荷を軽減する手法を開発する。また、これをCMOS論理回路の素子として採用した際の挙動や特性、集積化に際してどのような利点や問題点が存在するかについて言及する。