[20p-A307-1~9] 【現地会場のみでの開催】ヘテロ材料が拓く新機能

[20p-A307-5] 希薄窒化物半導体を用いた格子整合系III-V/Siヘテロエピタキシーと太陽電池応用

〇山根 啓輔¹、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大工)

キーワード：希薄窒化物混晶、ヘテロエピタキシー、太陽電池

シリコン（Si）基板上への，化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長は，高効率かつ大面積の多接合太陽電池の実現、Si単体では実現できない機能の集積の観点で期待される技術である。本講演では、III-V/Siヘテロエピタキシーのうち、格子整合の観点から、原理的に無転位で結晶成長可能な材料系に焦点を絞って、我々が開発した結晶成長技術とデバイスを紹介する。