[20p-A307-1~9] 【現地会場のみでの開催】ヘテロ材料が拓く新機能

[20p-A307-7] Ⅲ-V/Si太陽電池応用に向けたGaPN混晶のアンチモンサーファクタント媒介成長

〇彦坂 昌志¹、若原 昭浩¹、山根 啓輔¹ (1.豊橋技科大工)

キーワード：結晶工学

Ⅲ-V-N混晶は，格子定数やバンドギャップ制御の点において，Si基板を使用した無転位化合物太陽電池の新規材料として期待されている．しかし，Ⅲ-V-N混晶は，窒素クラスタや窒素起因点欠陥といった窒素原子の不均一な取り込みにより，光学的および電気的特性が著しく劣化することが問題となっている．本報告では，最適なSb導入量を検討するにあたり，GaPNの結晶性に与える，Sb供給量依存性を検討した．