[20p-A406-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[20p-A406-11] Development of Process for Through Silicon Vias (TSVs) Fabricated by Minimal Fab (II)

〇Fumito Imura¹, Hiroyuki Tanaka¹, Kouji Oosawa², Takuro Kono², Kenzo Shodo², Yasuo Terasawa², Sommawan Khumpuang^1,3, Shiro Hara^1,3 (1.AIST, 2.NIDEK, 3.MINIMAL)

Keywords:Minimal Fab, 3D IC, TSV

近年、シリコン貫通電極(TSV)を用いた3次元積層チップの研究開発が広く進められている。これまで、ミニマルSi深掘り(DRIE)装置によるスキャロップフリーボッシュプロセス技術を用いて、Si深掘りからCu埋め込みめっきまでのTSV形成プロセスについて報告してきた。今回は、このスキャロップフリーとスキャロップを意図的に形成したTSVについて、それぞれのTSVの絶縁性能を比較評価したので報告する。