[20p-A406-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[20p-A406-6] ミニマルシリコンCVDにおける三塩化ホウ素によるホウ素ドーピング

加持 裕生¹、〇羽深 等¹、池田 伸一^2,3、石田 夕起^2,3、原 史朗^2,3 (1.横国大院理工、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研)

キーワード：ホウ素ドーピング、ミニマルファブ

ミニマルCVDによりシリコンCVD膜を形成する際に、安全にホウ素をドーピングするために三塩化ホウ素(BCl₃)ガスを用いる方法と条件を探索している。前報では、ミニマルCVD装置において、三塩化ホウ素ガスとジクロロシランガスを用いてシリコン中にホウ素を添加できることを報告した。本報では、実用的な値である0.1%程度にホウ素を添加する条件を把握したので詳細を報告する。