[20p-B103-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [20p-B103-18] 分極反転多層デバイスに向けた極性制御MgZnO圧電薄膜の作製

〇島野 耀康^1,2、高柳 真司³、柳谷 隆彦^1,2,4,5 (1.早大先進理工、2.材研、3.同志社大生命医科、4.JST-CREST、5.JST-FOREST)

キーワード：MgZnO、O極性、分極反転多層膜デバイス

分極反転多層デバイスは、分極方向の異なる圧電薄膜を複数層積層した構造で、BAWデバイスの耐電力性向上などが期待される。この構造を作製するためには、圧電薄膜の極性を制御する技術が必要である。
我々のグループは以前、ZnOにMgをドープすることにより、厚み縦モード電気機械結合係数k_t²が大幅に改善することを報告した。本研究では、スパッタリング時の基板設置位置および基板温度によって、as-grown時の MgZnO薄膜の分極方向を制御する方法を提案する。