[20p-B103-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

[20p-B103-9] プラズマ酸化がAlScN/Siに及ぼす影響のAR-HAXPESによる評価

〇堤 智也¹、中田 弦¹、桐原 芳治¹、岡崎 樹²、保井 晃³、角嶋 邦之⁴、三谷 祐一郎^1,2、野平 博司¹ (1.都市大、2.都市大総研、3.高輝度光科学研究センター、4.東工大)

キーワード：AlScN、硬X線光電子分光法、プラズマ酸化

不揮発性メモリのさらなる低消費電力化と高速スイッチング化の実現が期待できる強誘電体材料が活発に研究されている。なかでも、膜厚20 nmでも強誘電性が確認[1]され、100μC cm^-2以上の大きな残留分極と箱型のヒステリシスを持つAl1-xScxN膜を用いた強誘電体キャパシタが注目されている。最近、AlScNを短時間の酸素プラズマ処理によりMIMキャパシタのon/off比が向上することを見出した。そこで、本研究ではその起源を探るためプラズマ酸化を行ったAlScN膜を角度分解硬X線光電子分光法（AR-HAXPES）により評価することで、プラズマ処理によるAlScN膜の結合状態の変化を調べたので報告する。