15:30 〜 15:45
[20p-B104-8] 頭尾型ナフタレンジイミド誘導体の真空蒸着による薄膜形成の最適化とトランジスタへの応用
キーワード：有機薄膜トランジスタ
当研究室で合成したn型有機半導体である「頭尾型ナフタレンジイミド誘導体」を真空蒸着法で成膜して有機薄膜トランジスタを作製し，そのTFT特性や薄膜の表面形態や結晶構造の評価を行った．デバイス作製時には，いくつかの絶縁性表面改質材料を用いて表面処理を行った．今回，表面処理による薄膜形成の最適化に成功し，作製した有機薄膜トランジスタのTFT特性の向上に成功したので報告する．