[20p-B201-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-B201-1] RF-MBE成長赤色発光MQWにおけるGaInN下地層挿入の効果

〇山口 智広¹、山田 純平²、富樫 理恵²、田原 開悟¹、赤川 広海¹、佐々木 拓生³、村上 尚⁴、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、名西 憓之⁵、岸野 克巳² (1.工学院大、2.上智大、3.量研機構、4.東京農工大、5.立命館大)

キーワード：InGaN、分子線エピタキシー、赤色発光

マイクロLEDディスプレイや高出力レーザ応用に向けた窒化物半導体赤色発光素子の実現に注目が集まっている。GaN上への赤色発光高In組成GaInN/GaN 歪み量子井戸では、ピエゾ電界による発光効率の低下や格子不整に伴う格子緩和の影響が考えられ、我々はこれまでGa_1-xIn_xN下地層上Ga_1-yIn_yN / Ga_1-xIn_xN多重量子井戸(MQW)構造に着目してきた。
本研究では、GaInN下地層の厚さ・緩和状態を変化させることにより、MQW構造の緩和状態や光学特性にどのような影響を及ぼすか評価を行った。