[20p-B201-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-B201-5] 極薄GaN/AlN超格子構造の作製におけるGaN層の膜厚依存性

〇杢谷 直哉¹、和田 邑一¹、毛利 真一郎¹、出浦 桃子²、正直 花奈子³、三宅 秀人³、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.三重大院工)

キーワード：GaN/AlN 超格子、MBE、深紫外

深紫外LEDの高効率化へ向けて極薄GaN/AlN超格子構造が提案されている。我々は超格子構造を高品質に作製する技術の確立を目的とし、高品質AlNテンプレート上にRF-MBE法を用いた極薄GaN/AlN超格子構造の成長を検討している。今回はGaN層の膜厚を変化させて成長し、膜厚と表面モフォロジの関係を調べた。