2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-B201-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

2022年9月20日(火) 13:30 〜 18:00 B201 (B201)

荒木 努(立命館大)、小林 篤(東大)、林 侑介(阪大)

15:00 〜 15:15

[20p-B201-6] RF-MBE成長DERI法におけるInNの初期成長機構

山田 泰弘1、中村 亮佑1、後藤 直樹1、毛利 真一郎1、出浦 桃子2、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.R-GIRO)

キーワード:透過電子顕微鏡、窒化インジウム、DERI法

InNのMBE成長ではV/III比制御が重要であり、Inリッチ条件ではInドロップレットの発生が、窒素リッチ条件では3次元成長による表面荒れが生じる。そこで我々は、高品質InNを再現性よく成長する手法としてDERI法を提案している。しかしDERI法の詳細な成長機構は解明されていない。そこで今回はDERI法のMRGPに着目し、TEMなどの評価装置を用い、InNの初期成長機構を調べた。