[20p-B203-1~22] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B203-19] ε-GaFeO₃ 基板を用いた単一ドメインκ-Ga₂O₃ の成長

〇西中 浩之¹、上田 修²、迫 秀樹³、池永 訓昭⁴、宮戸 祐治⁵、蓮池 紀幸¹、鐘ケ江 一孝¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大、2.明治大学、3.東レリサーチセンター、4.金沢工大、5.龍谷大学)

キーワード：Ga2O3、GaFeO3、ミストCVD