[20p-B203-1~22] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B203-20] Al組成の増加に伴う(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜の欠陥の発達

〇大槻 匠¹、東脇 正高^1,2 (1.情通機構、2.大阪公立大院工)

キーワード：酸化ガリウム

サブ0.1 μmのゲート長を持つ横型Ga₂O₃ MOSFETの高性能化に向けて、ゲート微細化に伴う短チャネル効果の抑制が課題である。短チャネル効果によるしきい値電圧の低下を改善する方法として、Ga₂O₃チャネル層と基板との間への(Al_xGa_1-x)₂O₃バックバリア層の挿入が効果的である。本講演では、分子線エピタキシー(MBE)法で成長した(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜において、Al組成を系統的に変化させた時の結晶構造への影響を報告する。