[20p-B203-1~22] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B203-9] OCCC法によるβ-Ga₂O₃単結晶の育成と成長条件の検討

〇高橋 勲^1,2、Kochurikhin Vladimir¹、富田 健稔¹、姚 永昭³、佐藤 功二³、石川 由加里³、菅原 孝昌²、庄子 育宏¹、鎌田 圭^1,2、柿本 浩一²、吉川 彰^1,2 (1.C＆A、2.東北大、3.ﾌｧｲﾝｾﾗﾐｯｸｽｾﾝﾀｰ)

キーワード：酸化ガリウム、ルツボフリー結晶成長、結晶欠陥

本研究では、ルツボフリーの新規融液成長法Oxide Crystal growth from Cold Crucible (OCCC) methodを開発し、高品質なβ-Ga₂O₃インゴットの作製を目指し成長条件の検討を行い、結晶性との関係を調べた。