[20p-B204-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20p-B204-12] 一軸圧縮熱処理による V_xO_yエピタキシャル薄膜のトポケミカル還元合成

〇庄司 拓貴¹、加藤 礼雄¹、金子 健太¹、金子 智^2,1、吉本 護¹、松田 晃史¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)

キーワード：酸化バナジウム、エピタキシャル薄膜、トポタキシー

酸化バナジウムは幅広い酸化状態を持つことや、温度や圧力変化に応じた一次構造転移を示すこと等から、多様なデバイスへの応用が期待される。我々はこれまでに、非晶質V₂O₅ 薄膜に対する一軸圧縮熱処理(UCA)を行うことにより、印加圧力に応じた還元相の相選択的固相エピタキシーとトポケミカル相制御を見出した。本研究では前駆体としてV₂O₅エピタキシャル薄膜を用い、UCAによる結晶相変化と印加圧力による相制御および物性への影響を検討した。