[20p-B204-1~13] 6.3 Oxide electronics

△ [20p-B204-8] Fermi surface of Ti₂O₃ films determined by angle-resolved photoemission spectroscopy

〇(D)Naoto Hasegawa¹, Kohei Yoshimatsu¹, Daisuke Shiga¹, Tatsuhiko Kanda¹, Satoru Miyazaki¹, Miho Kitamura², Koji Horiba², Hiroshi Kumigashira^1,2 (1.IMRAM, Tohoku Univ., 2.IMSS, KEK)

Keywords:titanium oxide, angle-resolved photoemission spectroscopy, metal insulator transition

コランダム型Ti₂O₃は、約450 Kにおいて温度幅の広い金属絶縁体転移を示す。この特異な伝導特性は、Ti 3dバンドがフェルミ準位上でわずかに重なる半金属的なバンド構造に由来すると考えられているが、詳細な電子状態は不明である。本研究では、Ti₂O₃薄膜について角度分解光電子分光を行い、フェルミ面を直接決定した。得られたバンド構造・フェルミ面は、電子相関を取り入れた密度汎関数法による計算結果との比較を行った。