[20p-C102-1~16] 9.5 新機能材料・新物性

[20p-C102-16] イオン液体ゲート(ILG)を用いたYBa₂Cu₃O_7-x薄膜へのフッ素挿入

〇寺田 凌¹、難波 杜人¹、村山 寛太郎¹、高津 浩¹、寺嶋 孝仁²、陰山 洋¹ (1.京大工、2.京大理)

キーワード：複合アニオン、薄膜

我々は最近、イオン液体ゲート(ILG)を用いた薄膜への酸化的なフッ素挿入に成功した。従来薄膜材料へのフッ素挿入は、PVDFやPTFEを用いた還元的手法、またはF₂ガスやXeF₂を用いた酸化的手法によって行われてきた。この手法は、それに対して、酸素脱離をともなわない酸化的手法かつ簡便な方法である。本研究では、この手法を用いて、YBa₂Cu₃O_7-x薄膜へのフッ素挿入を行った。