[20p-C106-1~13] 12.1 作製・構造制御

[20p-C106-4] 位相シフトイメージングエリプソメトリーを用いたC8-BTBTの液晶状態における先行薄膜の成長挙動観察

〇(M2)辻田 香奈瑛¹、斎藤 大河¹、星野 瑛¹、庄司 衛太¹、丸山 伸伍¹、松本 祐司¹ (1.東北大院工)

キーワード：有機半導体、液晶、先行膜

濡れ性は様々な工学的プロセスにおいて重要な要素であり，巨視的な液滴の濡れ広がりは液滴の接触線の前方に広がる分子レベルの厚さをもつ先行膜を伴うことが知られている．しかし，その動的挙動についてこれまで様々な液体を対象に研究が行われてきたが，液晶材料に関する報告は少ない．本研究では，液晶性有機半導体材料2,7-ジオクチル[1]ベンゾチエノ[3,2b]ベンゾチオフェン(C8-BTBT)の液晶状態における先行膜の成長挙動を調査した．