[20p-C200-1~11] 次世代テラヘルツ通信に向けた無線・光融合のデバイス・材料技術

[20p-C200-10] 半導体異種材料集積技術とデバイス応用

〇西山 伸彦¹ (1.東工大工)

キーワード：半導体、異種材料集積、光デバイス

将来的な半導体を利用した光・電子・電波融合集積回路実現に向けて、単一材料もしくは、あるいは、ある材料に格子整合する材料系だけで、すべての必要となる性能を満たす特性を実現することは不可能であるといってよい。そのため、異種材料集積技術は、今後益々その重要度が増していく。本報告は、シリコンプラットフォーム上のIII-V族半導体直接接合技術を中心に、その基本的な原理や特性を概観した後、接合技術を利用した光デバイスの特性について述べる。