[20p-C302-1~12] 6.4 薄膜新材料

[20p-C302-6] 配向制御したCuI薄膜における歪み誘起バンド構造変化

〇中村 優男¹、稲垣 宗太朗²、岡村 嘉大²、荻野 槙子²、高橋 陽太郎^1,2、足立 精宏¹、橋爪 大輔¹、十倉 好紀^1,2,3、川﨑 雅司^1,2 (1.理研CEMS、2.東大院工、3.東京カレッジ)

キーワード：ワイドギャップ半導体、エピタキシャル薄膜、励起子

代表的なｐ型ワイドギャップ半導体のヨウ化銅(CuI)に対して、格子整合の良いInAs基板を用いて配向を制御した単結晶薄膜を分子線エピタキシー法により作製した。作製した薄膜は、高い結晶性を反映した鋭い励起子共鳴構造を示した。この励起子共鳴から、バンドギャップ及びバンド分裂幅の温度依存性や基板方位依存性を明らかにし、エピタキシャル歪みとバンド構造変化を関係づける変形ポテンシャルを決定した。