14:00 〜 14:15
[20p-C306-3] 4H-SiCエピ層のハーフループアレイから拡張する二重菱形単一ショックレー型積層欠陥の合体
キーワード:単一ショックレー型積層欠陥、UV照射、フォトルミネッセンスイメージング
4H-SiCエピ層中の基底面転位が完全60°転位である場合は二重菱形の単一ショックレー型積層欠陥(DRSF)に拡張することを前回報告した。今回、ハーフループアレイから拡張するDRSFの合体現象につき、異常に速い拡張速度の原因となる構造推定を行った。
一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)
2022年9月20日(火) 13:30 〜 15:45 C306 (C306)
浅田 聡志(電中研)
14:00 〜 14:15
キーワード:単一ショックレー型積層欠陥、UV照射、フォトルミネッセンスイメージング