[20p-C306-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-C306-7] Hall効果測定によるSイオン注入n型SiC層中の電子移動度評価

〇松岡 大雅¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：SiC、Hall効果

本研究では、様々なドーピング密度を有するSイオン注入n型SiC層を形成し、Hall効果測定によって電気的性質を評価した。実験から、高密度(>1×10¹⁸ cm^－3)Sイオン注入層における電子移動度は、従来のn型SiC層における電子移動度に比べ2倍以上高いことが明らかとなった。高い電子移動度が得られた原因として、Sイオン注入層中の低いイオン化率(~ 1%)に起因して、イオン化不純物散乱の寄与が小さいことが考えられる。