[20p-C401-1~16] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[20p-C401-15] 深い不純物準位を導入したSiトンネルFETにおける室温でのスピンブロッケード

〇(PC)伴 芳祐¹、加藤 公彦²、飯塚 将太²、村上 重則²、石橋 幸治¹、森山 悟士³、森 貴洋²、大野 圭司¹ (1.理研、2.産総研、3.東電院工)

キーワード：シリコン量子ビット、量子センシング、スピンブロッケード

Si量子ビットの高温動作を目指して深い不純物準位をSi中に導入しそれを介した単一電子伝導の研究を行っている。II-VI族の不純物元素としてSおよびZnをイオン注入によりSi基板へ導入し、DLTS法により深い不純物準位の形成を確認した。素子はトンネルFET(TFET)構造の単電子トランジスタを採用した。実験の結果10Kでの明瞭な量子ビット動作や50Kまでの電子スピン共鳴、室温でのスピンブロッケードを観測した。