[20p-M206-1~11] インマテリアルAIコンピューティング

[20p-M206-4] アモルファスTaO_xが示す抵抗変化現象の確率過程性に対する相構造の影響の観測

〇福地 厚¹、片瀬 貴義²、太田 裕道³、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報、2.東工大フロ研、3.北大電子研)

キーワード：メモリスタ、アナログ抵抗変化、アモルファス金属酸化物

人工知能素子応用に向けた重要現象である、アモルファスTaO_xにおけるアナログ型と確率過程型抵抗変化現象の物理機構の理解を目指し、原子平坦アモルファスTaO_x薄膜を用いて、導電性原子間力顕微鏡法による各抵抗変化現象の直接誘起と原子スケールでのイオン移動観察を実施した。観察の結果、アモルファスTaO_xにおける確率過程的な抵抗変化は、準安定TaO₂相の内部分離に強く影響される現象である事が示された。