[20p-P03-1~3] 9.3 ナノエレクトロニクス

[20p-P03-2] 共通ゲート4重ドット単電子デバイスにおけるポンプ動作可能なゲート容量比

〇辻本 洸希¹、今井 茂¹ (1.立命館大理工)

キーワード：単電子デバイス、4重ドット単電子デバイス、ポンプ動作

共通ゲート四重ドット単電子デバイスは4つのゲート容量を非対称にすることにより、ポンプ動作が可能である。特定の電子配置におけるポンプ動作が、どのようなゲート容量比により可能であるか、また、ポンプ動作が起こる最大バイアス電圧（臨界電圧）が、どのようなゲート容量比で最大値をとるかについて報告する。前回は外側のゲート容量の比を変化させて調査したが、今回は内側のゲート容量の比を変化させ、より高い臨界電圧の値をとるよう調査を行った。