[21a-A105-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[21a-A105-1] 高Sbビーム等価圧力によるAlInSb薄膜結晶の高品質化の検討

〇町田 龍人¹、赤羽 浩一¹、渡邊 一世¹、原 紳介¹、笠松 章史¹ (1.情報通信研究機構)

キーワード：アンチモン系化合物半導体、ヘテロエピタキシャル成長、3次元核形成

本研究では，Sbビーム等価圧力（BEP）がGaAs上AlInSb薄膜結晶の分子線エピタキシー成長に与える影響をX線回折スペクトル半値幅との関係から調査し，その結晶の高品質化について検討した。結果，Sb BEPの増加によってAlおよびIn原子の表面マイグレーション長が短くなることで成長初期のAlInSb 3次元核が小型・高密度になり，薄膜結晶性が向上したことを示唆していた。