[21a-A205-1~10] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

[21a-A205-3] Q値350万をもつCMOS互換プロセスで作製されたナノ共振器

〇(M1)桂 正晃¹、太田 雄士¹、三橋 凌太²、岡野 誠³、大塚 実³、関 三好³、横山 信幸³、浅野 卓²、野田 進²、高橋 和¹ (1.大阪公大院工、2.京都大院工、3.産総研)

キーワード：シリコンナノ共振器、CMOS互換プロセス

シリコン製2次元フォトニック結晶ナノ共振器は，超小型の光メモリ，シリコンラマンレーザ，空間電荷センサへの応用が期待されている．産業応用を考え，我々はArF液浸フォトリソグラフィを用いたCMOSプロセスによる共振器作製の検討を行い，Q値200万程度のナノ共振器を実現してきた．今回，改善を施したCMOSプロセスによりナノ共振器を作製して光子寿命測定を行った結果，従来Q値の約1.5倍となる350万が得られたので報告する．